基于CLSM各向异性粗糙度测量的SOI波导损耗评估方法
硅光芯片的传输损耗，材料吸收和波导弯曲常被重点监控，但侧壁粗糙度（SWR）引起的散射损耗同样被重视。几微米脊宽的SOI波导中，侧壁纳米级的起伏就能让导模散射损耗大幅抬高，实测值往往超出设计预估。测量SOI波导侧壁 ...
表面形貌如何影响绝缘轴承陶瓷涂层微动磨损
绝缘轴承外圈上的陶瓷涂层，在高速轨道交通和电机设备里长期承受微动磨损。振幅只有几十微米，看上去微不足道，但反复的局部滑移会一点一点削弱绝缘性能，缩短设备寿命。表面形貌的影响比想象中大得多：粗糙度变化带 ...
LSCM、双光子、STED、FED——四种点扫描技术的三维形貌检测方法
半导体制造进入3nm节点后，200 nm的光学衍射极限已成为检测瓶颈。根据阿贝公式d=0.61λ/NA，传统显微镜分辨极限在200 nm左右。结构复杂化时，单纯提高放大倍数已无法获取高度信息，工程人员需要Z轴三维数据。光子湾3D共聚焦显 ...
共聚焦显微镜如何支撑微透镜阵列热压成形质量控制
一块微透镜阵列样品，放在显微镜下看起来可能看不出问题。但装进光学系统后，聚焦偏移、光能分布异常甚至成像质量下降都可能发生。问题不在肉眼可见的表面，而藏在微米级的结构误差里——透镜高度差几微米，曲率偏几 ...
微纳结构非接触表征：五种表面粗糙度测量方法对比
半导体芯片特征尺寸进入3 nm节点后，晶圆表面0.5 nm的RMS粗糙度变化即可能导致栅极氧化层击穿电压下降约15%。当检测对象进入亚微米尺度，触针轮廓仪和AFM的机械损伤风险不容回避，非接触光学测量由此成为主流。从检测原理 ...
共聚焦成像核心原理：针孔、PSF与三维形貌测量技术
传统光学方法受阿贝极限制约，可见光下理论分辨率约150nm，微细结构辨识常常力不从心。工业检测对快速、非接触测量需求持续增长。激光共聚焦显微镜借助光学针孔进行共轭滤波，从采集链路中剔除离焦光。PSF分析表明，其 ...
激光共聚焦显微镜在精密制造中3D表面形貌测量的核心技术
半导体、电子元件及高精度零部件制造中，传统检测方式在复杂微结构分析上面临效率、精度和样品保护问题。接触式轮廓仪靠探针获取高度信息，测量柔性材料、微小结构或精密表面时易引入接触影响；普通光学显微镜可直接 ...
轮廓法表面粗糙度幅值参数分析与工程意义研究
同一类零件加工后，粗糙度Ra满足设计要求，但实际运行中仍出现早期磨损或噪声异常。这种“指标合格但性能失效”的情况在工程现场并不罕见。GB/T 3505—2009标准指出，表面结构评价不仅涉及高度信息，还包含分布特征。但实 ...
超景深显微镜在BGA封装检测与焊球3D形貌测量中的应用
超景深显微镜在BGA封装检测与焊球3D形貌测量中的应用BGA（Ball Grid Array，球栅阵列）封装技术凭借高集成度和小型化优势，广泛应用于高端芯片和电路板组装。然而，这些焊球隐藏在封装下方，其焊接质量直接影响整机可靠性。 ...
基于激光共聚焦显微镜的表面粗糙度测量与三维形貌分析
传统触针式粗糙度仪应用比非接触测量应用的广泛，但面对软质材料、复杂微结构和高精度表面时，材质会容易受到接触损伤、采样范围有限以及二维轮廓信息不足等因素影响，很难全面反映真实表面状态。随着半导体、新能源 ...
一文了解显微镜景深的原理、影响因素与计算方式
样品一旦有台阶、划痕、曲面，很多人就会把“看得清”和“测得准”混在一起。问题也常出在这里：你以为是焦没对好，实际是景深已经不够用了。显微镜景深和焦深只差一个字，落到现场，却是两套完全不同的约束。对半导 ...
共聚焦三维成像如何实现粗糙度精确测量
在半导体晶圆减薄、锂电极片涂布、3C结构件检测等场景中，粗糙度测量已从“抽检项”升级为“在线良率控制项”。传统触针法易划伤软质表面，白光干涉法在局部斜率较大的陡峭轮廓上信号丢失严重，而共聚焦三维成像技术 ...
激光共聚焦对金刚石圆锥压头的三维形貌测量
在材料硬度测试领域，洛氏硬度试验是评估金属及涂层性能的关键方法之一。金刚石圆锥压头作为核心部件，其顶端球面几何精度直接影响测量结果的可靠性和不确定度。传统校准手段存在信息维度不足等问题，而光子湾3D共聚 ...
基于共聚焦显微成像技术的三维重建算法
在半导体、3C电子和新能源材料制造领域，表面质量直接决定产品性能与可靠性。传统光学显微镜难以消除离焦干扰，无法提供精确的三维量化数据，导致质控环节面临痛点。光子湾共聚焦显微镜通过光学切片技术实现纳米级3D ...
共聚焦显微镜三维成像与工业表面计量应用
在表面粗糙度、轮廓高度和微小台阶的测量中，真正的难点往往不是“能不能看见”，而是“能不能测准”。接触式方法可能带来样品损伤，二维图像又很难完整反映复杂表面的起伏变化。光子湾共聚焦显微镜的价值就在于此： ...
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